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產(chǎn)品目錄
產(chǎn)品詳情

  • 產(chǎn)品名稱：MA-4000，化合物半導(dǎo)體用曝光裝置，Mask Aligner，DNK大日本科研DSLY0505

  • 產(chǎn)品型號：MA-4000
  • 產(chǎn)品廠商：日本DNK大日本科研
  • 產(chǎn)品價格：0
  • 折扣價格：0
  • 產(chǎn)品文檔：
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簡單介紹：
MA-4000，化合物半導(dǎo)體用曝光裝置，Mask Aligner，DNK大日本科研DSLY0505 MA-4000，化合物半導(dǎo)體用曝光裝置，Mask Aligner，DNK大日本科研DSLY0505 MA-4000，化合物半導(dǎo)體用曝光裝置，Mask Aligner，DNK大日本科研DSLY0505
詳情介紹：
MA-4000，化合物半導(dǎo)體用曝光裝置，Mask Aligner，DNK大日本科研DSLY0505
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MA-4000，化合物半導(dǎo)體用曝光裝置，Mask Aligner，DNK大日本科研DSLY0505


把涂有光刻膠的基板與掩膜重疊，光刻圖形的曝光裝置。為了實現(xiàn)多層曝光時的自動對位，裝配有顯微鏡和X?Y?θ對位臺。自動進行基板的供給、對位、曝光、排出。

特長：

裝載有邊緣傳感器和間隙傳感器的非接觸式近接曝光裝置。*適合觸摸屏及有機EL等的量產(chǎn)。

采用獨自的平行調(diào)整機構(gòu),能夠高精度地設(shè)定掩膜與Wafer間的近接間隙。
利用獨自的高速圖像處理技術(shù),實現(xiàn)高精度的對位。
利用圖像處理技術(shù),使預(yù)對位可對應(yīng)薄型基板或翹曲基板及水晶等易碎Wafer(選購項)。
利用獨自的接觸壓力精密控制機構(gòu),能夠使Wafer與掩膜高精度地接觸。
通過Wafer的背面真空吸著方式,實現(xiàn)高速度和高精度以及穩(wěn)定的自動搬送。

主要規(guī)格
  MA-4000
Wafer尺寸 ?2～4" ?4～6"
掩膜尺寸 □5" □7"
光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW
外觀尺寸及重量 本體尺寸 W1340 x D1430 x H1900mm
本體重量 1120kg
選購項 生產(chǎn)管理系統(tǒng)(D-Net)、背面對位、○□基板兼用

※基板尺寸和水銀燈瓦數(shù)及特殊規(guī)格可商洽





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