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產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
詳情介紹:
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
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MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
基板尺寸和水銀燈瓦數(shù)及特殊規(guī)格可商洽
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
MA-5501ML,G3~G5基板用,直立型近接曝光裝置,DNK大日本科研
裝載有邊緣傳感器和間隙傳感器的非接觸式近接曝光裝置。*適合觸摸屏及有機EL等的量產(chǎn)。
特長:
能夠進行節(jié)拍時間約20秒(標準規(guī)格機,對位容許值設(shè)定為0.5μm時。不含曝光時間。)的高速曝光處理。
利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統(tǒng),能夠高速度和高精度地設(shè)定掩膜與基板間的近接間隙 。
可配置嚴格控制處理部位溫度環(huán)境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調(diào)控系統(tǒng)。
可選擇配置基板臺溫度控制系統(tǒng)及掩膜冷卻系統(tǒng),以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(選購項)
能夠裝載存放5張掩膜的掩膜存放庫


MA-5501ML | MA-5701ML | ||||
基板尺寸 | 370 x 470mm | 550 x 650mm | |||
對位 | 非接觸預(yù)對位~自動對位 | ||||
間隙 | 擁有傳感性能 | ||||
光源 | 超高壓水銀燈 :2kW or 3.5kW or 5kW | 超高壓水銀燈 :10kW | |||
外觀尺寸及重量 | 本體尺寸 |
W2400 x D2480 x H2290mm (另有控制箱、局部空調(diào)、冷水機) |
W3600 x D3870 x H2500mm (另有控制箱、局部空調(diào)、冷水機) |
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本體重量 | 1500kg | 1900kg | |||
光源重量 | 500kg | 1100kg | |||
無塵機房重量 | 250kg | 300kg | |||
選購項 | 掩膜冷卻、基板臺溫度調(diào)節(jié)、溫控機房、特殊對位照明 | ||||
用途 | 觸摸屏、彩色濾光片、有機EL、C-STN、電子紙等 |
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